Перегляд за автором "Порада, О.К."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H 
    Иващенко, В.И.; Порада, О.К.; Иващенко, Л.А.; Дуб, С.Н.; Тимофеева, И.И.; Гришнова, Л.А. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2010)
    В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой ...
  • Вплив потоку азоту на властивості тонких аморфних Si–C–N-плівок, отриманих магнетронним розпиленням 
    Козак, А.О.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Іващенко, Л.А.; Синельниченко, О.К.; Дуб, С.М.; Литвин, О.С.; Тимофєєва, І.І.; Толмачева, Г.М. (Сверхтвердые материалы, 2015)
    Тонкі плівки Si–C–N осаджено на кремнієві підкладки реактивним магнетронним розпиленням кремній-вуглецевої мішені на постійному струмі та при різних співвідношеннях потоків азоту FN2 і аргону FAr. Для дослідження структури, ...
  • Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок 
    Порада, О.К. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015)
    Наведено експериментальні результати по тонких Sі–C–N-плівках, одержаних плазмохімічним методом із гексаметилдісилазану. Досліджено вплив потужности високочастотного газового розряду, кількости доданого до реактивної суміші ...
  • Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...
  • Плазмохімічне устаткування для осадження нанокомпозитних наношаруватих плівок 
    Порада, О.К.; Іващенко, В.І.; Іващенко, Л.А.; Козак, А.О.; Ситіков, О.О. (Сверхтвердые материалы, 2019)
    Приведено основні принципи створення на базі вакуумного універсального поста ВУП-5(М) та подальшого використання плазмохімічного устаткування для осадження тонкоплівкових, у тому числі наношарових, матеріалів із парів ...
  • Порівняльні дослідження плазмохемічних плівок SіCN, одержаних із різних прекурсорів 
    Іващенко, Л.А.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Карпець, М.В.; Бутенко, О.О.; Закієв, І.М. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2009)
    Виконано дослідження впливу природи прекурсору на основні фізичні і трибологічні характеристики плівок SiCN, одержаних методою газофазового осадження, активованого високочастотною плазмою (PECVD). Для порівняння обрано ...
  • Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття 
    Порада, О.К.; Козак, А.О.; Іващенко, В.І.; Дуб, С.М.; Толмачева, Г.М. (Сверхтвердые материалы, 2016)
    Аморфні SiCN-покриття було осаджено на кремнієві підкладки методом плазмохімічного осадження (PECVD) з використанням гексаметилдісилазану в якості основного прекурсора. Досліджено вплив температури осадження на структуру, ...